买卖IC网 >> 产品目录 >> SI7444DP-T1-E3 MOSFET 40V 23.6A 1.9W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI7444DP-T1-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 40V 23.6A 1.9W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 40V 23.6A 1.9W
SI7444DP-T1-E3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 6.5 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI7444DP-T1-E3
SI7444DP-T1-GE3
SI7445DP-T1
SI7445DP-T1-E3
SI7445DP-T1-GE3
SI7446BDP-T1-E3
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  • SI7444DP-T1-E3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    2,000 2.36 4720
    3,000 2.002 6006
    6,000 1.96 11760